通过向大脑发送低强度的电刺激，可以提高口头短期记忆，这项新的研究在神经学中发表的新研究日志脑。
研究人员梅奥诊所发现，当低强度电信号被送到大脑的横向时间皮层时，对受试者的重新记录能力提高。横向时间皮质位于耳朵和寺庙之间，这是眼睛后面的头部的一侧。
“这项研究的最令人兴奋的发现是，通过直接刺激这种过度曝光的大脑地区，我们可以改善我们的语言信息的记忆，”梅奥诊所的研究员Michal Kucewicz博士。他将刺激与“发痒”大脑进行比较。
与记忆损失有关的技术每天都会出现。它的历史可以追溯到20世纪90年代。今天，商店房屋与超越了许多患有内存问题的预算的设备过度了。大多数可用选项都有有限的治疗方法。“虽然大脑的电刺激是潜在的潜在治疗，但对广泛的神经和精神疾病的潜在治疗，对其对记忆的影响很少，”高级研究作者Gregory Worrell，M.D.在Mayo Clinic。
22例接受癫痫发作的手术评估的患者参加了该研究。该研究对大脑的四个不同区域进行。患者被要求读一下屏幕一度时间出现的单词清单。与此同时，它们被给予电气刺激。然后要求他们以任何顺序召回单词。将每个患者刺激正在研究大脑的四个区域中的一个。
结果表明，这四名患者刺激了横向颞型皮质，比刺激其他脑区的患者表现得更好。“这些调查结果可能导致新的刺激设备，这些设备在梅奥诊所进行了Jamie Van Gompel，M.D。
